Alternative Super Junction Power MOSFETs für die Leistungselektronik

Super Junction MOSFETs (SJ-MOSFETs) sind Hochleistungs-MOSFETs, die für Schaltvorgänge mit höherer Leistung und Spannung ausgelegt sind und in Spannungswandlern verwendet werden.

Im Gegensatz zu herkömmlichen MOSFETs weisen SJ-MOSFETs einen viel größeren pn-Übergang zwischen Source und Drain auf. Dies führt zu einem extrem niedrigen Kontaktwiderstand zwischen den Elektroden. Dieser liegt im Schaltzustand (ein) bei ca. 0,1 Ohm. Dieser niedrige Widerstand verursacht aufgrund der Verlustleistung eine geringe Wärmeentwicklung.

Karl Kruse, ein globaler Distributor von elektronischen Bauteilen, und CYG Wayon, einer der weltweit wichtigsten Anbieter von Schutzlösungen für elektronische Schaltungen, gaben eine Kooperationsvereinbarung bekannt.

“Wir freuen uns sehr, als Vertriebspartner mit CYG Wayon zusammenzuarbeiten”, sagte Klaus Kruse, Geschäftsführer von Karl Kruse. „Wayons einzigartiges Angebot auf dem Markt für Überspannungsschutz- und Halbleiterbauelemente passt perfekt zu den Anforderungen unserer Kunden, insbesondere auf dem Industriemarkt. Wir sind in der Lage, die gängigen Hersteller zu ersetzen, bessere Kosten und wesentlich kürzere Lieferzeiten anzubieten “, kommentierte Klaus Kruse. “Darüber hinaus spiegelt Wayons Bekenntnis zu Qualität und Zuverlässigkeit das Engagement von Karl Kruse wider, unseren expandierenden Kundenstamm mit erstklassigen Komponenten auszustatten”, fügte Klaus Kruse hinzu.

Wayon WMOS ™ C2 ist eine neue Silizium-basierte Spitzentechnologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Unter Verwendung des fortschrittlichen Super Junction-Prinzips kann die Technologie RDS (on) pro Bereich im Vergleich zu herkömmlichem VDMOS erheblich reduzieren. Diese Technologie erzielt bis zu 38% bessere FOM (RDS (on) * Qg) im Vergleich zur vorherigen WMOSTM C1-Technologie. Diese Verbesserung macht Schaltanwendungen effizienter und kompakter. WMOSTM C2 bietet MOSFETs mit großem Spannungsbereich und ist im Vergleich zu VDMOS kostengünstig.

CYG Wayon 800V WMOS ™ M3 ist eine neue Silizium-basierte Spitzentechnologie mit extrem geringer Gate-Ladung für eine hohe Effizienz beim Schalten, insbesondere beim Hochfrequenzschalten. Durch das verbesserte Design bietet die neue WMOSTM M3-Familie auch eine hohe Stoßleistung für LED-Anwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultra Low RDS (on) führt zu geringen Leitungsverlusten und verbesserter Effizienz bei
  • Endanwendungen
  • Extrem niedrige Gateladung, die die Schaltleistung verbessert
  • 100% avalanche tested
  • Breiter Spannungsbereich: 500V-900V
  • Grünes Paket Kostengünstige Alternative zu VDMOS

Typische Anwendungen sind:

Netzteil, Ladegerät, LED-Beleuchtung, Adapter, PC, LCD-Fernseher, USV / Server und Haushaltsgeräte.

Bei  Rückfragen oder eine Cross Ref Liste für andere Hersteller, wenden Sie sich an Karl Kruse in der Schirmer Straße 59, 40211 Düsseldorf
telefonisch unter + 49-211 27403530 oder per  e-mail an info@kruse.de

 

Über Wayon:

CYG Wayon wurde 1996 vom Shanghai Research Institute of Materials gegründet. 2007 wurde Wayon von der Changyuan Group Ltd (CYG) übernommen. (CYG ist eine börsennotierte Gesellschaft an der Shanghai Stock Exchange, Stock Code: 600525).

CYG Wayon ist einer der weltweit führenden Anbieter von Lösungen für den Schutz elektronischer Schaltkreise und Halbleiter.
Die Hauptprodukte bestehen aus PPTC, CPTC und Chipsicherung für Überstromschutz; TVS, Thyristor und ESD für Überspannungsschutz und Super Junction MOSFET und Schutz-IC. Die Produktanwendung umfasst Telekommunikation, wiederaufladbare Batterien, IT-Ausrüstung, Kfz-Kleinmotoren und Kfz-Elektronik, Industrieausrüstung und Unterhaltungselektronik.
CYG WAYON ist ein ISO9001, ISO14001, TS16949 zertifiziertes Unternehmen. Hauptprodukte sind UL, TÜV und CSA zugelassen.